发明名称 |
检测伪编程单元的方法和使用其对伪编程单元编程的方法 |
摘要 |
一种检测伪编程单元的方法包括检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元。第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第二存储单元中检测第三存储单元。第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压。一种对非易失存储器件中的单元进行编程的方法包括对选择的存储单元执行编程操作。在执行编程操作的存储单元中检测第一存储单元。第一存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第一存储单元中检测伪编程单元。伪编程单元的阈值电压小于第二校验电压。进而,对伪编程单元进行编程。 |
申请公布号 |
CN101266839B |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN200710129990.9 |
申请日期 |
2007.07.20 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
朴镇寿 |
分类号 |
G11C16/34(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
杨生平;朱胜 |
主权项 |
一种检测伪编程单元的方法,该方法包括:检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元,其中,所述第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压;以及在所述第二存储单元中检测第三存储单元,其中,所述第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压,其中,检测所述第二存储单元包括:对耦合到将被读取的特定单元的字线施加所述第一校验电压;将耦合到所述特定单元的位线预充电到高电平;根据所述位线的电压电平的变化来测量将被读取的所述特定单元的编程;根据所述位线的所述电压电平来读出在所述特定单元中存储的数据;以及将所述读出的数据存储在寄存器中。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |