具有至少两个操作状态的微光刻投射曝光设备

摘要

本发明涉及一种用于制造微电子元件的、具有至少两个操作状态的微光刻投射曝光设备。该微光刻投射曝光设备包括物平面上的反射掩模。在第一操作状态中，所述掩模的第一部分区域由第一辐射照明，所述第一辐射在所述第一部分区域的每个点处具有所分配的具有第一质心方向矢量的第一质心方向。在第二操作状态中，所述掩模的第二部分区域由第二辐射照明，所述第二辐射在所述第二部分区域的每个点处具有所分配的具有第二质心方向矢量的第二质心方向。所述第一和所述第二部分区域具有公共交叠区域。所述微光刻投射曝光设备被构造为使得在所述交叠区域的至少一个部分区域的每个点处，归一化的第一质心方向矢量、归一化的第二质心方向矢量以及与所述掩模垂直的归一化矢量的标量三重积小于0.05。

主权项

用于制造微电子元件的、具有至少两个操作状态的微光刻投射曝光设备，包括物平面(5、805)上的反射掩模，其中在第一操作状态中，所述掩模的第一部分区域(604a、704a)由第一辐射照明，所述第一辐射在所述第一部分区域(604a、704a)的每个点处具有所分配的具有第一质心方向矢量的第一质心方向，以及在第二操作状态中，所述掩模的第二部分区域(604b、704b)由第二辐射照明，所述第二辐射在所述第二部分区域(604b、704b)的每个点处具有所分配的具有第二质心方向矢量的第二质心方向，并且其中所述第一和所述第二部分区域(604a、704a、604b、704b)具有公共交叠区域(641、741)，其特征在于在所述交叠区域(641、741)的至少一个部分区域的每个点处，归一化的第一质心方向矢量、归一化的第二质心方向矢量以及与所述掩模垂直的归一化矢量的标量三重积小于0.05。