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Ein Verfahren, umfassend: Ausbilden einer ersten Isolierschicht über einem Halbleitersubstrat, das ein erstes Substratgebiet und ein zweites Substratgebiet aufweist; und dann aufeinander folgendes Ausbilden einer Metallschicht und einer Fotolackschicht über der ersten Isolierschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von Metallverdrahtungen und einer Vielzahl von Fotolackstrukturen auf der Metallverdrahtung im ersten Substratgebiet des Halbleitersubstrats durch Ausführen eines ersten Ätzprozesses; und dann Verringernder Viskosität der Fotolackstrukturen durch einen Wärmebehandlungsprozess auf dem Substrat derart, dass die Fotolackstrukturen üiner entsprechenden Metallverdrahtung verflossen werden; und dann Erhöhen der Viskosität der Fotolackstrukturen durch einen Kühlprozess auf dem Substrat; und dann Ausbilden einer zweiten Isolierschicht über den ersten und zweiten Substratgebieten nach dem Verringern und Erhöhen der Viskosität der Fotolackstrukturen; und dann Ausbilden einer Isolierschicht-Dummystruktur im zweiten Substratgebiet durch gleichzeitiges Entfernen der Fotolackstrukturen und des Teils der im ersten Substratgebiet ausgebildeten zweiten Isolierschicht, wobei...
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