| 发明名称 | 微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法。所述微柱阵列的制备方法包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于0度且小于90度，从而在第一晶体层表面的缺陷处形成凹陷；保持对第一晶体层的表面实施选择性腐蚀，使凹陷扩大，显露出无位错部分，形成由第一晶体层的无位错部分构成的微柱阵列。本发明的优点在于，通过选择性腐蚀工艺形成了由无位错区域构成的微柱阵列作为横向外延的窗口区，从而降低保留下来的窗口区的位错密度，从而使ELOG工艺充分发挥其降低位错密度的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN102163545A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN201110066668.2 | 申请日期 | 2011.03.18 |
| 申请人 | 苏州纳维科技有限公司 | 发明人 | 刘建奇;王建峰;任国强;弓晓晶;徐科 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/00(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种微柱阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于0度且小于90度，从而在第一晶体层表面的缺陷处形成凹陷；保持对第一晶体层的表面实施选择性腐蚀，使凹陷扩大，显露出无位错部分，形成由第一晶体层的无位错部分构成的微柱阵列。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||