具有增强调谐范围的变容二极管

摘要

本发明涉及一种变容二极管，其可以具有连接到栅极的第一端子。该栅极可以由p型多晶硅栅极导体形成。该栅极还可以具有由一层绝缘体(例如二氧化硅)形成的栅极绝缘体。该栅极绝缘体位于栅极导体和本体区域之间。源极和漏极接触区域可以形成在硅本体区域中。该本体区域和源极以及漏极可以使用n型掺杂剂掺杂。变容二极管可以具有连接到n型源极和漏极的第二端子。控制电压可以被用来调节由第一端子和第二端子之间的变容二极管所产生的电容水平。正控制电压可以比负控制电压产生更大的电容。应用负控制电压可以在p+多晶硅栅极层中生成耗尽层。

主权项

一种变容二极管，其包括：半导体本体；具有p+栅极导体的栅极；以及在本体中与所述p+栅极导体相邻的至少一个n+接触区域。