| 发明名称 | 提高β-Volt效应同位素微电池转化效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明为提高β-Volt效应同位素微电池转化效率的方法，属于微机电系统的微电源领域。本发明的方法是在β-Volt效应同位素微电池的封装外壳内侧镀上0.5微米的金材料反射层。在同位素电池输出功率一定的条件下，本发明的方法可减少同位素材料的使用量，提高同位素电池的转化效率可达15％以上；进一步降低微电池的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101540214B | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200910082804.X | 申请日期 | 2009.04.22 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 姜澜;朵英贤;陈海洋;李遂贤 |
| 分类号 | G21H1/00(2006.01)I | 主分类号 | G21H1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人 | 张利萍 |
| 主权项 | 提高β‑Volt效应同位素微电池转化效率的方法，其特征在于：在β‑Volt效应同位素微电池的封装外壳内侧镀上0.5微米的金膜层。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区中关村南大街5号 | ||