发明名称 |
磁记录介质的制造方法 |
摘要 |
制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压,即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少,也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度,将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面,并分离磁性部,因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。 |
申请公布号 |
CN102160116A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN200980136655.9 |
申请日期 |
2009.09.17 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
西桥勉;渡边一弘;森田正;佐藤贤治;田中努;涡卷拓也 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李浩;王忠忠 |
主权项 |
一种磁记录介质的制造方法,其特征在于,在具有基板、和配置在所述基板表面上的磁性膜的处理对象物的所述磁性膜上,配置具有离子遮蔽部、和膜厚比所述离子遮蔽部薄的离子透过部的抗蚀剂;使处理气体的离子加速,使所述处理气体的构成元素透过所述离子透过部,向所述磁性膜的所述离子透过部所在的处理部注入所述构成元素,使其非磁性化;改变用于加速所述处理气体的离子的加速电压,从而使所述处理部非磁性化。 |
地址 |
日本神奈川县 |