发明名称 |
形成半导体管芯的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种形成半导体管芯的方法。在一种实施例中,具有非矩形形状的半导体管芯以及具有各种不同形状的管芯被形成并且被从半导体晶片中切单出。 |
申请公布号 |
CN102157448A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201110009912.1 |
申请日期 |
2011.01.18 |
申请人 |
半导体元件工业有限责任公司 |
发明人 |
G·M·格里瓦纳;M·J·塞登 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种形成半导体管芯的方法,包括以下步骤:提供具有顶表面和底表面的半导体晶片;将多个半导体管芯形成于所述半导体晶片的所述顶表面上,其中所述多个半导体管芯中的两个或更多个管芯具有以下的周边之一:非矩形形状、具有至少一个沿着所述周边的突出部的形状、多连通的形状、具有至少一个曲线部分的形状、非对称的形状、对周边周围的距离的不同值或者不规则的形状,其中所述不规则的形状阻止通过使用在轴向上延伸横越所述半导体晶片的切单线来切单所述不规则的形状;形成切单区作为所述半导体晶片的在所述半导体管芯之间的区域;以及使用干法蚀刻来同时地切单所述多个半导体管芯。 |
地址 |
美国亚利桑那 |