连接孔的形成方法

摘要

一种连接孔的形成方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上具有金属间介质层；在所述金属间介质层上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成连接孔图案；执行主刻蚀工艺，刻蚀所述连接孔图案底部部分厚度的金属间介质层；完成主刻蚀后，执行第一步过刻蚀工艺，刻蚀余下厚度的金属间介质层，在所述金属间介质层中形成底部露出所述刻蚀停止层的开口；执行第二步过刻蚀工艺，刻蚀所述开口的底部；去除所述开口底部的刻蚀停止层。本发明能够避免形成连接孔底部没有打开的缺陷。

主权项

一种连接孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上具有金属间介质层；在所述金属间介质层上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成连接孔图案；执行主刻蚀工艺，刻蚀所述连接孔图案底部部分厚度的金属间介质层；完成主刻蚀后，执行第一步过刻蚀工艺，采用含氟的气体和惰性气体刻蚀余下厚度的金属间介质层，同时用氧气等离子体清除刻蚀时产生的聚合物，在所述金属间介质层中形成底部露出所述刻蚀停止层的开口；执行第二步过刻蚀工艺，选用含氟的气体和惰性气体的等离子体来执行刻蚀工艺，用惰性气体的等离子体进行轰击刻蚀，用含氟的气体产生聚合物保护所述刻蚀停止层表面，减缓刻蚀速率，刻蚀所述开口的底部，全面去除所述开口底部的刻蚀停止层表面的残留物，并去除部分厚度的刻蚀停止层；去除所述开口底部的刻蚀停止层。