发明名称 |
包括用于减少聚合物沉积的RF吸收材料的等离子体限制环 |
摘要 |
设置等离子体限制环,使其适于在该环的等离子体暴露表面上达到足够高的温度以大大地降低在那些表面上的聚合物沉积。该等离子体限制环包括RF损耗材料,有效地增强在该环部分上的加热。低发射率材料可设置在该等离子体限制环组件的一部分上以增强加热效果。 |
申请公布号 |
CN101553900B |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN200680022062.6 |
申请日期 |
2006.06.14 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
詹姆斯·H·罗杰斯 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
周文强;李献忠 |
主权项 |
一种用于等离子体处理室的等离子体限制环组件的等离子体限制环,所述等离子体限制环组件包括之间有间隙的等离子体限制环堆,所述等离子体限制环包括:至少一个里面有插入件的孔,所述孔与支撑所述等离子体限制环堆中的所述等离子体限制环的挂钩协作;表面;RF透明材料;RF损耗材料;其中,当所述表面暴露于所述等离子体处理室内的等离子体时,所述RF损耗材料适于耦合RF能量,使得所述表面达到足够高的温度以大大地降低在所述表面上的聚合物沉积;以及其中所述RF损耗材料是掺杂硅。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |