发明名称 片状等离子体发生装置及使用它的成膜方法和成膜装置
摘要 本发明提供一种片状等离子体发生装置和使用它的成膜方法和成膜装置,能够扩大成膜面积并可使膜厚分布更为均匀。在使从等离子体枪由集束线圈引出的等离子体束通过由在与等离子体束的行进方向垂直的方向上延伸、对置且互相平行地配置而成对的永磁体构成的片化磁体形成的磁场之中而变形为片状的片状等离子体发生装置中,片化磁体包括至少一个与等离子体束的中心侧对应的部分中的排斥磁场强度比与等离子体束的外缘侧对应的部分中的排斥磁场强度更强的片化磁体。
申请公布号 CN101297060B 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN200680039908.7 申请日期 2006.10.10
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 齐藤友康;森脇崇行
分类号 C23C14/24(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I 主分类号 C23C14/24(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 岳耀锋
主权项 一种片状等离子体发生装置,使从等离子体枪由集束线圈引出的具有圆形束截面的等离子体束通过由片化磁体形成的磁场之中而变形为片状,上述片化磁体是由在与该等离子体束的行进方向垂直的方向上延伸、对置且互相平行地配置而成对的永磁体构成的,该片状等离子体发生装置的特征在于,上述片化磁体包括第一片化磁体和第二片化磁体,该第一片化磁体由夹着该束对置地配置的一对磁体构成,该第二片化磁体也由夹着该束对置地配置的一对磁体构成,该第一片化磁体和第二片化磁体在束行进方向上并排设置,该第一片化磁体和第二片化磁体中的至少一个中,与等离子体束的中心侧对应的部分中的排斥磁场强度比与等离子体束的外缘侧对应的部分中的排斥磁场强度更强。
地址 日本神奈川