| 主权项 |
一种TFT阵列基板检查装置，其是向TFT阵列基板照射电子束，并利用二次电子检测器检测出藉由该电子束照射而产生之二次电子的强度，且利用该二次电子强度对TFT阵列基板进行检查者，其包括：电晶体特性变化单元，其使构成上述TFT阵列基板之矽之电晶体特性产生变化，且对二次电子的强度进行检测，上述二次电子是藉由照射电子束至上述电晶体特性改变后之状态之TFT阵列基板而获得。如申请专利范围第1项所述之TFT阵列基板检查装置，其中上述电晶体特性变化单元为向TFT阵列基板照射电磁波之电磁波照射单元，且对照射该电磁波后之TFT阵列基板所产生的二次电子强度进行检测。如申请专利范围第2项所述之TFT阵列基板检查装置，其中上述电磁波照射单元为照射可视光区域之光的可视光照射单元，且对照射该可视光后之TFT阵列基板所产生之二次电子强度进行检测。如申请专利范围第1项所述之TFT阵列基板检查装置，其中上述电晶体特性变化单元为使TFT阵列基板温度上升之加热单元，且对经过该加热之TFT阵列基板所产生之二次电子强度进行检测。一种TFT阵列基板检查装置，其是于TFT阵列基板之上部隔开间隔而配置光电元件，并自上述光电元件之上部照射光，继而检测出由该光电元件之反射膜所反射的上述光藉由上述TFT阵列基板与上述光电元件之间的电场所产生之光学变化，藉此对TFT阵列基板进行检查，其包括：电晶体特性变化单元，其使构成上述TFT阵列基板之矽之电晶体特性产生变化，且对藉由电场所产生的光之光学变化进行检测，上述电场为上述电晶体特性改变后之状态之TFT阵列基板与光电元件间的电场。如申请专利范围第5项所述之TFT阵列基板检查装置，其中上述电晶体特性变化单元为将电磁波照射至TFT阵列基板之电磁波照射单元，且对藉由电场所产生的光之光学变化进行检测，上述电场为照射上述电磁波后之TFT阵列基板与光电元件间的电场。如申请专利范围第6项所述之TFT阵列基板检查装置，其中上述电磁波照射单元为照射可视光区域的光之可视光照射单元，且对藉由电场所产生的光之光学变化进行检测，上述电场为照射该可视光后之TFT阵列基板与光电元件间的电场。如申请专利范围第5项所述之TFT阵列基板检查装置，其中上述电晶体特性变化单元为使TFT阵列基板温度上升之加热单元，且对藉由电场所产生的光之光学变化进行检测，上述电场为经过该加热之TFT阵列基板与光电元件间的电场。 |
