| 主权项 |
一种基板处理装置，系使经液体润湿的基板表面乾燥者，其特征在具备：接近构件，具有与前述基板表面相对之相对面，而以该相对面系从前述基板表面分离配置，且于夹介在该相对面与前述基板表面之间隙空间充满前述液体而形成有液密层之状态，对前述基板朝预定移动方向相对移动自如；驱动手段，使前述接近构件对前述基板相对移动于前述移动方向；溶剂气体供应手段，将必须含有溶解在前述液体而使表面张力降低之溶剂成分的溶剂气体朝前述移动方向之前述液密层的上游侧端部供应；以及液体层形成手段，于从前述移动方向之前述液密层的上游侧端部起至下游侧的整个前述基板表面形成积水状的液体层；前述接近构件复具有延设面，该延设面系作为前述接近构件的相对面之外的非相对面而与前述上游边部连接，且从该连接位置一边面对前述移动方向的上游侧一边朝从前述基板表面分离之方向延设；前述溶剂气体供应手段系具有气体喷嘴，该气体喷嘴系配置于前述接近构件的上游侧端部的上方，并朝前述接近构件的上游侧端部喷出前述溶剂气体。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中，前述液体层形成手段系具有：对前述基板表面执行使用前述液体之预定的湿式处理，并于该湿式处理执行后，在整个前述基板表面形成前述积水状的液体层之湿式处理手段，且于前述整个基板表面形成前述积水状的液体层后，使前述接近构件之前述相对面从前述基板表面分离配置而在前述间隙空间形成前述液密层。如申请专利范围第2项之基板处理装置，其中，前述液体为清洗液，且前述湿式处理手段系执行清洗处理作为前述湿式处理。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中，前述液体层形成手段系具有第1液体供应手段，该第1液体供应手段系在前述接近构件的前述相对面从前述基板表面分离配置而在前述间隙空间形成前述液密层前，朝前述基板表面供应前述液体而在整个前述基板表面形成前述积水状的液体层。如申请专利范围第4项之基板处理装置，其中，前述第1液体供应手段系具有朝前述基板表面喷出前述液体之第1喷嘴。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中，复具备第2液体供应手段，该第2液体供应手段系在前述接近构件之相对移动中从前述移动方向之前述液密层的上游侧端部起朝下游侧的前述基板表面供应前述液体。如申请专利范围第6项之基板处理装置，其中，前述第2液体供应手段系具有朝前述非相对面喷出前述液体之第2喷嘴；前述接近构件系将从前述第2喷嘴喷出于前述非相对面之前述液体，沿着前述非相对面引导向界定前述相对面之边部中之位于前述移动方向的上游侧之上游边部。如申请专利范围第7项之基板处理装置，其中，前述接近构件系将从前述第2喷嘴喷出到前述非相对面之前述液体，沿着前述非相对面引导向界定前述相对面之边部中的前述上游边部，以及位于前述移动方向的下游侧之下游边部。如申请专利范围第7项之基板处理装置，其中，前述接近构件系将从前述第2喷嘴喷出之前述液体经由前述延设面引导向前述上游边部。如申请专利范围第9项之基板处理装置，其中，在前述接近构件的上游侧端部，前述相对面与前述延设面系形成为锐角。如申请专利范围第9项之基板处理装置，其中，前述接近构件复具有与前述延设面相对且将前述液体朝前述上游边部引导之引导面，且利用从前述第2喷嘴喷出之前述液体，一边将前述延设面与前述引导面之间充满成液密状态，一边朝前述上游边部引导前述液体。如申请专利范围第1项至第11项中任一项之基板处理装置，其中，前述溶剂气体供应手段系具有于前述移动方向中包围位于前述液密层的上游侧之上游侧空间环境的覆盖构件，且对前述上游侧空间环境供应前述溶剂气体。如申请专利范围第1项至第11项中任一项之基板处理装置，其中，前述接近构件复具有：上游侧相对部位，该上游测相对部位系于前述相对面的前述移动方向之上游侧，一边与前述基板表面相对，一边分离配置，并开设有气体喷出口；前述溶剂气体供应手段系由前述气体喷出口将前述溶剂气体朝前述液密层的前述移动方向之上游侧予以喷出。如申请专利范围第1项至第11项中任一项之基板处理装置，其中，前述接近构件系以石英形成。一种基板处理方法，系使经液体润湿的基板表面乾燥者，其特征在具有：藉由将具有与前述基板表面相对之相对面以及与上游边部连接且从该连接位置一边面对移动方向的上游侧一边朝从前述基板表面分离之方向延设的延设面作为非相对面的接近构件，以前述相对面从前述基板表面分离之方式予以配置，而在夹介于前述相对面与前述基板表面之间隙空间充满前述液体而形成液密层之步骤；一边维持形成有前述液密层之状态，一边使前述接近构件对前述基板相对移动于预定的移动方向之步骤；将必须含有会溶解在前述液体而使表面张力降低之溶剂成分的溶剂气体，从配置于前述接近构件的上游侧端部的上方之气体喷嘴朝前述移动方向之前述液密层的上游侧端部供应之步骤；以及于自前述移动方向之前述液密层的上游侧端部起至下游侧之整个前述基板表面形成积水状的液体层之步骤。 |
