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一种发光元件结构，包含：一底材，具有一平坦下表面，该底材靠近下表面之内部具有复数个离子植入区域；一磊晶层，位于该底材上方，该磊晶层系由一化合物半导体材料所构成之一可发光结构；以及一透明电极层，系覆盖于该磊晶层的上方。如申请专利范围第1项所述之发光元件结构，更包含一反射层位于该底材之该平坦下表面。如申请专利范围第2项所述之发光元件结构，其中该反射层系为一金属层。如申请专利范围第3项所述之发光元件结构，其中该金属层之材料系由银(Ag)、铂(Pt)、钼(Mo)、铝(Al)、钯(Pd)所组成之族群之中选出。如申请专利范围第2项所述之发光元件结构，其中该反射层系为一介电层。如申请专利范围第5项所述之发光元件结构，其中该介电层系为一TiO2/SiO2多层膜结构。如申请专利范围第1项所述之发光元件结构，其中该透明电极层具有复数个几何形状之开孔。如申请专利范围第1项所述之发光元件结构，其中该透明电极层为一欧姆接触层。一种形成发光元件结构的方法，包含：提供一底材，具有一平坦下表面，形成具有复数个离子植入区域于该底材靠近下表面之内部；形成一磊晶层位于该底材的上方，该磊晶层系由一化合物半导体材料所构成之一可发光结构；及形成一透明电极层，系覆盖于该磊晶层的上方。如申请专利范围第9项所述之形成发光元件结构的方法，更包含一反射层位于该底材之该平坦下表面。如申请专利范围第10项所述之形成发光元件结构的方法，其中该反射层系为一金属层。如申请专利范围第11项所述之形成发光元件结构的方法，其中该金属层之材料系由银(Ag)、铂(Pt)、钼(Mo)、铝(Al)、钯(Pd)所组成之族群之中选出。如申请专利范围第10项所述之形成发光元件结构的方法，其中该反射层系为一介电层。如申请专利范围第13项所述之形成发光元件结构的方法，其中该介电层系为一TiO2/SiO2多层膜结构。如申请专利范围第9项所述之形成发光元件结构的方法，其中该透明电极层具有复数个几何形状之开孔。如申请专利范围第9项所述之形成发光元件结构的方法，其中该透明电极层为一欧姆接触层。 |
