包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法

摘要

本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管、和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。

主权项

一种非易失存储器，包括：一衬底；一形成于所述衬底上的晶体管；和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元，其中所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层，该数据存储材料层包括过渡金属氧化物NiO，其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压Vw1，0＜V1＜Vw1＜V2时，所述数据存储材料层具有第一电阻，该第一电阻代表第一数据状态，其中，当在该数据存储材料层上施加写入电压V3，V2＜V3时，所述数据存储材料层具有与第一电阻不同的第二电阻，第二电阻代表第二数据状态，其中，通过在该数据存储材料层施加读取电压VR，VR＜|V1|，该第一和第二数据状态可以从该数据存储材料层读取，而不改变该数据存储材料层的数据状态。