发明名称 半导体装置散热用合金部件及其制造方法
摘要 本发明的目的在于提供一种如现有的复合材料一样热膨胀率较低,并且如纯铜一样导热率较大,并且机械加工性优良的散热用合金部件及其制造方法。特别是作为散热用合金部件要求各种形状,因而除了现有的熔化法以外,还提供使用能够供给制造原价低廉的各种形状的散热用合金部件的粉末烧结法的制造方法。本申请发明的合金材料,Cr在0.3质量%以上、80质量%以下,余量由Cu和不可避免的杂质构成,其中,具有如下组织:在除了100nm以上的Cr相的Cu基体中使长径100nm以下、纵横比不足10的粒子状Cr相以20个/μm2以上的密度析出。
申请公布号 CN101163810B 申请公布日期 2011.08.03
申请号 CN200580049470.6 申请日期 2005.10.05
申请人 JFE精密株式会社;杰富意钢铁株式会社 发明人 寺尾星明;小日置英明;上之园聪
分类号 C22F1/08(2006.01)I;B22F3/26(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C27/06(2006.01)I;C22F1/11(2006.01)I 主分类号 C22F1/08(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 樊卫民;郭国清
主权项 一种Cu‑Cr合金,Cr在0.3质量%以上、80质量%以下,余量由Cu和不可避免的杂质构成,其特征在于,具有如下组织:在除了100nm以上的Cr相的Cu基体中存在以20个/μm2以上的密度析出的长径100nm以下、纵横比不足10的粒子状Cr相。
地址 日本新泻县