异质结双极型晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种异质结双极型晶体管及其制备方法。所述异质结双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：形成所述异质结双极型晶体管的外延层；在所述外延层上形成包括发射极窗口的氧化层、氮化硅层、光刻胶层；部分蚀刻所述光刻胶层，使所述光刻胶层的窗口大于所述氮化硅层的窗口；蚀刻所述氮化硅层，使所述氮化硅层的窗口大于所述氧化层的窗口；在所述氧化层、氮化硅层的发射极窗口内和所述氮化硅层的部分表面形成多晶硅层，以形成所述异质结双极型晶体管的发射极。本发明的异质结双极型晶体管的制备方法能够使发射极的多晶硅充分的沉积到所述氧化层的发射极窗口和所述氮化硅层的发射极窗口中，并能形成优良的发射极金属硅化物。

主权项

一种异质结双极型晶体管，包括外延层、形成在所述外延层上的包括发射极窗口的氧化层和氮化硅层，其特征在于：所述氮化硅层的发射极窗口大于所述氧化层的发射极窗口，所述氧化层和氮化硅层的发射极窗口内和所述氮化硅层的部分表面形成有多晶硅层。