发明名称 用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路
摘要 本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路,包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,休眠信号端,预充管,保持管,时钟管,休眠管,输出静态反相器和下拉网络。保持管,休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管,其余晶体管为低阈值的晶体管;PMOS休眠管的源极接电源,漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极,对于两个NMOS休眠管,一个NMOS休眠管的源极接动态结点,另一个NMOS休眠管的源极接输出端,两个NMOS休眠管的漏极接地电压;用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。
申请公布号 CN201918976U 申请公布日期 2011.08.03
申请号 CN201020574314.X 申请日期 2010.10.15
申请人 北京工业大学 发明人 汪金辉;吴武臣;侯立刚;宫娜;耿淑琴;张旺;袁颖
分类号 H03K19/017(2006.01)I;H03K19/096(2006.01)I 主分类号 H03K19/017(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 魏聿珠
主权项 用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路,包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,休眠信号端,预充管,保持管,时钟管,休眠管,输出静态反相器和下拉网络,其特征在于:预充管,保持管,休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管,其余晶体管为低阈值的晶体管;PMOS休眠管的源极接电源,漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极,对于两个NMOS休眠管,一个NMOS休眠管的源极接动态结点,另一个NMOS休眠管的源极接输出端,两个NMOS休眠管的漏极接地电压;用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
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