| 发明名称 | 阱区位置检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种阱区位置检测方法，其包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成P阱区和N阱区，所述N阱区和P阱区之间具有距离；在所述N阱区中形成PMOS晶体管，在P阱区中形成NMOS晶体管，所述N阱区及其中的PMOS晶体管，所述P阱区及其中的NMOS晶体管构成测试结构；测量所述测试结构的电学特性，得到所述距离和所述电学特性之间的对应关系；测量待测试器件的电学特性，利用所述距离和所述电学特性之间的对应关系得到所述待测试器件中N阱区和P阱区之间的距离。本发明可以对器件中阱区的位置检测。 | ||
| 申请公布号 | CN102142383A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010104673.3 | 申请日期 | 2010.02.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄艳;李家豪 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种阱区位置检测方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成P阱区和N阱区，所述N阱区和P阱区之间具有距离；在所述N阱区中形成PMOS晶体管，在P阱区中形成NMOS晶体管，所述N阱区及其中的PMOS晶体管，所述P阱区及其中的NMOS晶体管构成测试结构；测量所述测试结构的电学特性，得到所述距离和所述电学特性之间的对应关系；测量待测试器件的电学特性，利用所述距离和所述电学特性之间的对应关系得到所述待测试器件中N阱区和P阱区之间的距离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||