半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：蚀刻半导体基板以形成多个柱；在柱的侧壁上沉积第一保护膜；首先用沉积有第一保护膜的柱作为掩模蚀刻所述半导体基板；在所述柱的侧壁以及经首次蚀刻的半导体基板上形成第一绝缘膜；用包括第一绝缘膜的柱作为掩模再次蚀刻半导体基板；在经再次蚀刻的半导体基板的表面上形成第二保护膜和第二绝缘膜；在包括第二绝缘膜的柱的侧壁上沉积阻挡膜；以及移除位于柱的一个侧壁处的第一绝缘膜、第二绝缘膜和阻挡膜以形成由第一保护膜与第二保护膜限定的触点孔。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：蚀刻半导体基板以形成第一柱，所述第一柱是所形成的多个柱的一部分；在所述第一柱的第一侧壁和第二侧壁上沉积第一保护膜；利用所述第一柱和所述第一保护膜作为掩摸对所述半导体基板执行第一蚀刻工序，以使所述第一柱的下部延长并限定所述第一柱的第一延长下部；在所述第一柱的第一侧壁和第二侧壁以及所述第一柱的第一延长下部上形成第一绝缘膜；利用所述第一柱和所述第一绝缘膜作为掩摸对所述半导体基板执行第二蚀刻工序，以使所述第一柱的下部延长并限定所述第一柱的第二延长下部；至少在所述第一柱的第二延长下部上形成第二保护膜和第二绝缘膜；在包括所述第一延长下部和所述第二延长下部在内的所述第一柱的第一侧壁和第二侧壁上沉积阻挡膜，所述阻挡膜被沉积在所述第二绝缘膜上；以及移除设置在所述第一柱的第一侧壁上的所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述阻挡膜以限定使所述第一柱的第一侧壁的一部分露出的触点孔，所述触点孔限定在所述第一保护膜与所述第二保护膜之间。