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一种流体浸没曝光设备，其中一工件系曝光于一曝光光束，该设备包含：一光学元件，该工件系曝光于穿过该光学元件的曝光光束，并且一浸没流体系于该光学元件以及该工件之间的间隙中；一浸没元件，其可定位成相对于该光学元件；一工件桌台，该工件系固定于其上，且其系可相对于该光学元件移动；其中该工件桌台以及该浸没元件系可相对地移动；且其中，当该工件桌台系从光学元件下方移离时，该浸没元件替代该工件桌台而被定位成相对于该光学元件，且该浸没流体系被维持在该光学元件以及该浸没元件之间的间隙中。根据申请专利范围第1项的流体浸没曝光设备，其中从一第一状态转换至一第二状态期间，该浸没流体系存在于该光学元件下方；其中该第一状态系为该工件桌台定位于光学元件下方，该第二状态系为该浸没元件替代该工件桌台而定位在该光学元件下方。根据申请专利范围第2项的流体浸没曝光设备，进一步包含一建构成移动该工件桌台的平台组件，其中该浸没元件系藉由使用该平台组件而定位于该光学元件下方。根据申请专利范围第3项的流体浸没曝光设备，其中该浸没元件系设于该平台组件。根据申请专利范围第3项的流体浸没曝光设备，其中在转换期间，该浸没元件以及该工件桌台系被移动，同时该浸没元件以及该工件桌台系彼此靠近。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，其中该浸没元件系位于靠近该工件桌台而具有一间隙。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，其中在转换期间，该浸没元件以及该工件桌台形成一实质上连续表面，且其中该浸没流体系被维持在该光学元件以及该连续表面之间的间隙中。根据申请专利范围第7项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的表面以及该浸没元件的表面之间的位置关系可被调整以形成该连续表面。根据申请专利范围第8项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的倾斜可被调整以形成该连续表面。根据申请专利范围第8项的流体浸没曝光设备，其中该调整系在工件桌台从光学元件下方移离之前执行。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的表面以及该浸没元件的表面之间的位置关系可被调整以用于转换。根据申请专利范围第11项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的倾斜可被调整。根据申请专利范围第11项的流体浸没曝光设备，其中该调整系在工件桌台从光学元件下方移离之前执行。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，进一步包含一对准工具，该对准工具在一方向中设置成远离该光学元件，其中该浸没元件以及工件桌台系在此方向中彼此靠近。根据申请专利范围第14项的流体浸没曝光设备，其中该浸没元件在曝光期间，相对于该工件桌台，实质地定位在该对准工具的相对侧。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台在其中一侧上不具有干涉计镜，且该浸没元件系安置于靠近该工件桌台的该侧。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台在其中一侧上具有一干涉计镜，且该浸没元件系安置于靠近该工件桌台的该侧，且其中一干涉计光束系可容许到达该干涉计镜。根据申请专利范围第5项的流体浸没曝光设备，其中该浸没流体系被防止渗漏至该工件桌台以及该浸没元件之间的间隙中。根据申请专利范围第15项的流体浸没曝光设备，其中该浸没流体的渗漏系藉由使用气体压力而被防止。根据申请专利范围第2项的流体浸没曝光设备，进一步包含一建构成移动该工件桌台的平台组件，以及一建构成移动该浸没元件的移动系统。根据申请专利范围第2项的流体浸没曝光设备，其中，在该工件位于该工件桌台上的曝光期间，该浸没元件系被定位远离该工件桌台。根据申请专利范围第20项或第21项的流体浸没曝光设备，其中在转换期间，该浸没元件以及该工件桌台系被移动，同时该浸没元件以及该工件桌台系彼此靠近。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，其中该浸没元件以及该工件桌台系同步地移动。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，其中在转换期间，该浸没元件以及该工件桌台形成一实质上连续表面，且其中该浸没流体系被维持在该光学元件以及该连续表面之间的间隙中。根据申请专利范围第24项的流体浸没曝光设备，其中工件桌台的表面以及该浸没元件的表面之间的位置关系可被调整以形成该连续表面。根据申请专利范围第25项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的倾斜可被调整以形成该连续表面。根据申请专利范围第25项的流体浸没曝光设备，其中该调整系在工件桌台从光学元件下方移离之前执行。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的表面以及该浸没元件的表面之间的位置关系可被调整以用于转换。根据申请专利范围第28项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台的倾斜可被调整。根据申请专利范围第28项的流体浸没曝光设备，其中该调整系在工件桌台从光学元件下方移离之前执行。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，进一步包含一对准工具，该对准工具在一方向中设置成远离该光学元件，其中该浸没元件以及工件桌台系在此方向中彼此靠近。根据申请专利范围第31项的流体浸没曝光设备，其中该浸没元件在曝光期间，相对于该工件桌台，实质地定位在该对准工具的相对侧。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台在其中一侧上不具有干涉计镜，且该浸没元件系安置于靠近该工件桌台的该侧。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，其中该工件桌台在其中一侧上具有一干涉计镜，且该浸没元件系安置于靠近该工件桌台的该侧，且其中一干涉计光束系可容许到达该干涉计镜。根据申请专利范围第22项的流体浸没曝光设备，其中该浸没流体系被防止渗漏至该工件桌台以及该浸没元件之间的间隙中。根据申请专利范围第35项的流体浸没曝光设备，其中该浸没流体的渗漏系藉由使用气体压力而被防止。根据申请专利范围第2项的流体浸没曝光设备，其中该浸没元件系由下列材料的其中之一制成：塑胶、金属以及陶瓷。根据申请专利范围第2项的流体浸没曝光设备，其中该工件包含一晶圆，其系曝光于该曝光光束。根据申请专利范围第2项的流体浸没曝光设备，进一步包含一建构成供应该浸没流体的流体系统。根据申请专利范围第39项的流体浸没曝光设备，其中该流体系统系建构成回收该浸没流体。一种流体浸没曝光方法，其中一工件系曝光于一曝光光束，该方法包含：提供该工件，该工件系固定于一工件桌台上，该工件桌台系相对于一光学元件，以将该工件曝光于穿过该光学元件的曝光光束，并且提供一浸没流体于该光学元件以及该工件之间的间隙中；将该工件桌台从光学元件下方移离；将一浸没元件置放成相对该光学元件，以替代该工件桌台；其中该浸没元件以及该工件桌台系可相对地移动；且其中当该工件桌台系从光学元件下方移离时，该浸没流体系被维持在该光学元件以及该浸没元件之间的间隙中。根据申请专利范围第41项的流体浸没曝光方法，其中从一第一状态转换至一第二状态期间，该浸没流体系存在于该光学元件下方；其中该第一状态系为该工件桌台定位于光学元件下方，该第二状态系为该浸没元件替代该工件桌台而定位在该光学元件下方。根据申请专利范围第42项的流体浸没曝光方法，进一步包含，在转换期间，将该浸没元件以及该工件桌台以一状态移动，其中该状态系为该浸没元件以及该工件桌台彼此靠近。根据申请专利范围第42项的流体浸没曝光方法，其中该工件桌台系藉由一平台组件移动，且该浸没元件系藉由一移动系统移动。根据申请专利范围第42项的流体浸没曝光方法，其中，在该工件位于该工件桌台上的曝光期间，该浸没元件系被定位远离该工件桌台。根据申请专利范围第43项至第45项中任一项的流体浸没曝光方法，其中该浸没元件以及该工件桌台系同步地移动。根据申请专利范围第43项至第45项中任一项的流体浸没曝光方法，其中，在转换期间，该浸没元件以及该工件桌台形成一实质上连续表面，且其中该浸没流体系被维持在该光学元件以及该连续表面之间的间隙中。根据申请专利范围第47项的流体浸没曝光方法，进一步包含调整该工件桌台的表面以及该浸没元件的表面之间的位置关系，以形成该连续表面。根据申请专利范围第48项的流体浸没曝光方法，其中该工件桌台的倾斜可被调整以形成该连续表面。根据申请专利范围第48项的流体浸没曝光方法，其中该调整系在工件桌台从光学元件下方移离之前执行。根据申请专利范围第43项至第45项中任一项的流体浸没曝光方法，其中该工件桌台的表面以及该浸没元件的表面之间的位置关系可被调整以用于转换。根据申请专利范围第51项的流体浸没曝光方法，其中该工件桌台的倾斜可被调整。根据申请专利范围第51项的流体浸没曝光方法，其中该调整系在工件桌台从光学元件下方移离之前执行。根据申请专利范围第43项至第45项中任一项的流体浸没曝光方法，进一步包含防止该浸没流体渗漏至该工件桌台以及该浸没元件之间的间隙中。根据申请专利范围第54项的流体浸没曝光方法，其中该浸没流体的渗漏系藉由使用气体压力而被防止。根据申请专利范围第42项的流体浸没曝光方法，其中该工件包含一晶圆，其系曝光于穿过该光学元件以及浸没流体的曝光光束。一种装置制造方法，其包含：藉由使用如申请专利范围第41项至56项中任一项所述之流体浸没曝光方法，将一工件曝光。 |
