| 主权项 |
一种于晶边区形成覆盖层的方法，包括：提供一基底，该基底具有一晶边区与一中心区；提供一上隔离物与一下隔离物，其中该上隔离物位于该基底之一上表面上，并至少覆盖该中心区，而该下隔离物位于该基底之一下表面上，并至少覆盖该中心区；于未被该上隔离物覆盖的该基底之该上表面上以及未被该下隔离物覆盖的该基底之该下表面上形成一覆盖层；以及移除该上隔离物与该下隔离物。如申请专利范围第1项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中该覆盖层的材料包括氧化矽或氮化矽。如申请专利范围第1项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中该覆盖层的形成方法包括电浆增强型化学气相沈积法。如申请专利范围第1项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中该上隔离物实质上与该基底之该上表面接触。如申请专利范围第1项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中该下隔离物实质上与该基底之该下表面接触。如申请专利范围第1项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中该上隔离物与该基底之该上表面之间具有一间隙。如申请专利范围第6项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中在形成该覆盖层之前，更包括于该间隙中通入钝性气体。如申请专利范围第1项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中该下隔离物与该基底之该下表面之间具有一间隙。如申请专利范围第8项所述之于晶边区形成覆盖层的方法，其中在形成该覆盖层之前，更包括于该间隙中通入钝性气体。 |
