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Verfahren mit: Bilden einer ersten verspannungsinduzierenden Schicht (240) über einem ersten Transistor (220a), der über einem Substrat (201) ausgebildet ist, wobei die erste verspannungsinduzierende Schicht eine erste Art an Verspannung erzeugt; Bilden einer zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (230) über einem zweiten Transistor (220b), wobei die zweite verspannungsinduzierende Schicht eine zweite Art an Verspannung erzeugt, die ungleich der ersten Art an Verspannung ist; Bilden einer dritten dielektrischen Schicht (260) über dem ersten und dem zweiten Transistor; Bilden eines Zwischenschichtdielektrikumsmaterials (250) über dem ersten und dem zweiten Transistor; und Bilden von Kontaktöffnungen (251), die eine Verbindung zu dem ersten und dem zweiten Transistor herstellen, durch Verwenden der dritten dielektrischen Schicht als ein Ätzstoppmaterial; wobei der erste Transistor (220a) ein n-Kanaltransistor ist und der zweite Transistor (220b) ein p-Kanaltransistor ist oder umgekehrt; und das Bilden der dritten dielektrischen Schicht umfasst: Abscheiden von Material der dritten Schicht...
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