Verfahren zum Bilden einer Grabenisolationsschicht in einem Halbleiterbauelement

摘要

Verfahren zum Bilden eines Grabens (55) für eine Isolationsschicht, mit den Schritten: Bilden einer Ätzmaske (50) auf einem Halbleitersubstrat (10); Ausführen eines Vorbehandlungsreinigungsprozesses unter Verwendung von verdünnter HF, bestehend aus H2O + HF im Mischverhältnis 50:1 und NH4OH + H2O2 + H2O oder bestehend aus NH4F + HF im Mischverhältnisbereich 100:1 bis 300:1 und NH4OH + H2O2 + H2O; Ätzen des Halbleitersubstrats (10), wodurch ein Graben (55) durch Verwendung der Ätzmaske (50) gebildet wird; Ausführen eines Strip-Prozesses zum Entfernen der Ätzmaske (50); anschließend Ausführen eines ersten Reinigungsprozesses, wodurch während des Ätzprozesses auf einer Seitenwand des Grabens (55) erzeugte Nebenprodukte entfernt werden und die Rauheit der Seitenwand verbessert wird durch Verwendung von H2SO4 + H2O2 und verdünnter HF, bestehend aus H2O + HF im Mischverhältnis 50:1 und NH4OH + H2O2 + H2O; und Ausführen eines Seitenwandoxidationsprozesses, wodurch in dem Graben (55) eine Seitenwandoxidschicht (60) gebildet...