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Eine integrierte Schaltung, umfassend eine erste Speichermatrix (101) und eine mit der ersten Speichermatrix gekoppelte Logikschaltung (105). Alle aktiven Transistoren aller Speicherzellen der ersten Speichermatrix und alle aktiven Transistoren der Logikschaltung sind Fin-Feldeffekttransistoren (FinFETs) und haben entlang einer Richtung einer ersten Längsrichtung angeordnete Gateelektroden.
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