| 发明名称 | 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。以上六种超辐射发光二极管具有波长短、功率大、光谱宽等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102136534A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201110041984.4 | 申请日期 | 2011.02.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 梁德春;李新坤;金鹏;王占国 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种砷化镓基短波长超辐射发光二极管，其有源区为砷化镓铝铟/砷化镓铝量子点材料； | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||