| 发明名称 | 一种用于连续横向结晶技术的掩膜及使用该掩膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于连续横向结晶技术的掩膜及该掩膜的使用方法。该掩膜包括：至少一透明光栅，该透明光栅包括二长边，一前缘与一后缘，所述二长边相互平行且长度相等，所述前缘朝向所述透明光栅的外侧突出，所述后缘朝向所述透明光栅的内部凹陷。通过本发明可以有效消除不均匀区，还可以避免工艺速度下降的问题。随着工艺速度的提高，本发明的连续横向结晶工艺可以同时减少熔融区域的重叠面积，以防止多晶硅层吸收过多激光能量，以降低多晶硅层因聚块作用而导致破洞的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN1933098B | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN200510103240.5 | 申请日期 | 2005.09.16 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 孙铭伟 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;C30B1/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 陶海萍 |
| 主权项 | 一种用于连续横向结晶技术的掩膜，其特征在于，包括：至少一透明光栅，该透明光栅包括二长边，一前缘与一后缘，所述二长边相互平行且长度相等，所述前缘朝向所述透明光栅的外侧突出，所述后缘朝向所述透明光栅的内部凹陷。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||