| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，包括：准备衬底，在所述衬底上形成多个导电层图案，在所述导电层图案侧壁上形成栅极绝缘层，在所述导电层图案之间形成柱状物颈部图案，在所述柱状物颈部图案和所述导电层图案上形成柱状物头部，和通过选择性蚀刻导电层图案和在柱状物颈部图案上形成的柱状物头部来形成包围所述柱状物颈部图案的栅电极和形成柱状物头部图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101552194B | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN200910000355.X | 申请日期 | 2009.01.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金明玉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备衬底；在所述衬底上形成多个导电层图案；在所述导电层图案的侧壁上形成栅极绝缘层；在所述导电层图案之间形成柱状物颈部图案；在所述柱状物颈部图案和所述导电层图案上形成柱状物头部；和通过选择性地蚀刻所述导电层图案和在所述柱状物颈部图案上形成的所述柱状物头部来形成包围所述柱状物颈部图案的栅电极和形成柱状物头部图案，其中所述柱状物颈部的直径小于所述柱状物头部的直径。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||