| 主权项 |
一种高频二极体，系具备有：P型区域；和N型区域；和被配置于此些之P型区域与N型区域之间之身为高电阻率层的I层，其特征为：前述I层，系由碳浓度为5×1015~5×1017atoms/cm3，格子间氧浓度在依据ASTM F121-1979之基准下为6.5×1017~13.5×1017atoms/cm3，电阻率为100 Ω cm以上之矽晶圆所制造，在前述I层中，作为再结合中心，系成为使用被形成于前述矽晶圆之起因于氧析出的缺陷，并且，能量能阶系从价能带之顶部的能量起直到费米能阶为止而被连续形成。如申请专利范围第1项所记载之高频二极体，其中，在前述矽晶圆中之格子间氧浓度，在依据ASTM F121-1979之基准下系为6.5×1017~10.0×1017atoms/cm3。如申请专利范围第1项或第2项所记载之高频二极体，其中，在前述矽晶圆中之电阻率，系为600~1000 Ω cm。一种高频二极体之制造方法，系为制造具备有P型区域、和N型区域、和被配置于此些之P型区域与N型区域之间之身为高电阻率层的I层之高频二极体的制造方法，其特征为：成为前述I层之矽晶圆，其碳浓度为5×1015~5×1017atoms/cm3，格子间氧浓度在依据ASTM F121-1979之基准下为6.5×1017~13.5×1017atoms/cm3，电阻率为100 Ω cm以上，作为制造成为前述I层之矽晶圆的工程，系具备有：将电阻率为100 Ω cm以上，初期格子间氧浓度为8.0×1017~16.0×1017atoms/cm3，碳浓度为5×1015~5×1017atoms/cm3之矽单结晶，藉由CZ法来育成的单结晶育成工程；和对前述矽单结晶作切割，而将所得到之矽晶圆，在氩气、氮气、或者是此些之混合气体环境中，从700℃起以1~2℃/min之昇温速度而昇温至1000℃为止之第1的热处理工程，同时，具备有：在该矽晶圆中，作为挟持前述I层之位置，而设置前述P型区域与N型区域的工程，在前述I层中，作为再结合中心，系成为使用被形成于前述矽晶圆之起因于氧析出的缺陷，并且，能量能阶系从价能带之顶部的能量起直到费米能阶为止而被连续形成。如申请专利范围第4项所记载之高频二极体之制造方法，其中，在成为前述I层之前述矽晶圆的制造工程中，于前述第1热处理工程中，系以1000℃而保持0~6小时。如申请专利范围第4项或第5项所记载之高频二极体之制造方法，其中，作为成为前述I层之前述矽晶圆的制造工程，于前述第1热处理工程后，系具备有：于氩气、氮气、或者是此些之混合气体环境中，以1200℃而保持1~2小时之第2热处理工程。如申请专利范围第4项或第5项所记载之高频二极体之制造方法，其中，在成为前述I层之前述矽晶圆的制造工程中，前述矽晶圆之格子间氧浓度，在依据ASTM F121-1979之基准下系为6.5×1017~10.0×1017atoms/cm3。一种高频二极体，其特征为：系在如申请专利范围第4项或第5项所记载之高频二极体之制造方法中，在成为前述I层之前述矽晶圆的制造工程中，使前述矽晶圆之电阻率成为600~1000 Ω cm而被制造。 |
