| 主权项 |
一种发光二极体，系包括：一基板；一导热层，系设置于该基板之表面并具有一开口；一第一半导体层，系设置于该导热层之部分表面，该第一半导体层并藉由该开口而与该基板连接；一活性层，系设置于该第一半导体层之表面；一第二半导体层，系设置于该活性层之表面，且该第二半导体层与该第一半导体层将该活性层夹置于两者之间；一散热膜层，系设置于该导热层之未被该第一半导体层覆盖之部分的表面，且该散热膜层系为一热电薄膜；一绝缘层，系形成于导热层之未被该第一半导体层与该散热膜层覆盖之部分的表面；一第一电接触部，系电连接于该基板；一第二电接触部，系电连接于该第二半导体层；以及一电子收集回路，系电连接于该散热膜层及该第一电接触部。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该基板之材质为N型砷化镓。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包括一N型氮化镓磊晶层于该基板之表面，且该N型氮化镓磊晶层系位于该基板与该导热层之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该导热层为金铍合金。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一半导体层之材质为N型铝镓铟磷。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该导热层具有一金属反射镜结构于其中。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该活性层之材质为I型铝镓铟磷。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该活性层具有复数个量子井结构。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第二半导体层之材质为P型砷化镓。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该散热膜层为一电子共振穿遂式热电薄膜。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一电接触部为金镍合金之薄膜电极。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第二电接触部为氧化铟锡薄膜电极。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该绝缘层之材质为氧化矽。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更设置有一外部回路，且该外部回路电连接于该第一电接触部及该第二电接触部。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更设置有一外部回路，该外部回路系电连接于该第一电接触部及该第二电接触部，且该外部回路并电连接于该电子收集回路。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更设置有一储存电容，且该储存电容电连接于该电子收集回路。一种发光二极体，系包括：一基板；一第一半导体层，系设置于该基板之表面；一导热层，系设置于该第一半导体层之表面并具有一开口；一活性层，系设置于该导热层之部分表面，该活性层并藉由该开口而与该第一半导体层连接；一第二半导体层，系设置于该活性层之表面，且该第二半导体层与该第一半导体层将该活性层夹置于两者之间；一散热膜层，系设置于该导热层之未被该活性层覆盖之部分的表面，且该散热膜层系为一热电薄膜；一绝缘层，系形成于导热层之未被该活性层与该散热膜层覆盖之部分的表面；一第一电接触部，系电连接于该第一半导体层；一第二电接触部，系电连接于该第二半导体层；以及一电子收集回路，系电连接于该散热膜层及该第一电接触部。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该基板之材质为氧化铝。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该导热层为一由钻石膜与金属膜相互叠合而成之膜层。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该第一半导体层之材质为N型氮化镓。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该第二半导体层具有一金属反射镜结构于其中。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该活性层系由复数个氮化镓铟膜层与复数个氮化镓膜层交错堆叠而成。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该活性层具有复数个量子井结构。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该第二半导体层之材质为P型氮化镓。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该散热膜层为一电子共振穿遂式热电薄膜。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该第一电接触部为铊铝合金之薄膜电极。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该第二电接触部为氧化铟锡薄膜电极。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该绝缘层之材质为氧化矽。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，更设置有一外部回路，且该外部回路电连接于该第一电接触部及该第二电接触部。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，更设置有一外部回路，该外部回路系电连接于该第一电接触部及该第二电接触部，且该外部回路并电连接于该电子收集回路。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，更设置有一储存电容，且该储存电容电连接于该电子收集回路。 |
