| 发明名称 | 浅沟槽形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽形成方法，包括：在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，采用第一刻蚀气体去除部分厚度的所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用异于所述第一刻蚀气体的第二刻蚀气体去除剩余的所述钝化层并刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽。可减小甚至消除所述浅沟槽的侧壁顶端存在的尖角缺陷，继而，减小甚至消除浅沟槽隔离区顶角缺失。 | ||
| 申请公布号 | CN101752286B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200810204557.1 | 申请日期 | 2008.12.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵林林 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，采用第一刻蚀气体去除部分厚度的所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用异于所述第一刻蚀气体的第二刻蚀气体去除剩余的所述钝化层并刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽；其中，所述第一刻蚀气体是对所述钝化层具有较高的刻蚀速率及较好的刻蚀选择比的刻蚀气体，第二刻蚀气体是对所述半导体基底具有较高的刻蚀速率及较好的刻蚀选择比的刻蚀气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||