| 发明名称 | 锗硅异质结三极管的版图结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低成本锗硅异质结三极管的版图结构，该异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列，相邻的单元共用集电极。通过这种阵列结构使集电极的串联电阻较原来的阵列结构大大减小，由此提高异质结三极管的射频性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102130122A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027331.6 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 苗彬彬;刘梅 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种锗硅异质结三极管的版图结构，其特征在于：所述锗硅异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||