| 发明名称 | 硅通孔内形成绝缘层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅通孔内形成绝缘层的方法，该方法包括如下步骤：提供包含器件区域和非器件区域的硅衬底，所述器件区域上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有场隔离区，其中，所述源极和漏极已经完成离子注入工艺；在所述硅衬底和栅极结构表面覆盖阻挡层；在所述非器件区域或器件区域上依次光刻刻蚀所述阻挡层和硅衬底以形成硅通孔；采用热氧化扩散的方法在硅通孔内壁形成绝缘层，同时，完成对所述源极和漏极注入离子的扩散工艺。本发明提供的硅通孔内形成绝缘层的方法，既能完成在硅通孔内壁形成绝缘层的工艺，又大大减小了由于热氧化扩散工艺中的温度参数对整个器件的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102130044A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010618737.1 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 周军 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种硅通孔内形成绝缘层的方法，其特征在于，包括：提供包含器件区域和非器件区域的硅衬底，所述器件区域上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有场隔离区，其中，所述源极和漏极已经完成离子注入工艺；在所述硅衬底和栅极结构表面覆盖阻挡层；在所述非器件区域或器件区域上依次光刻刻蚀所述阻挡层和硅衬底以形成硅通孔；采用热氧化扩散的方法在硅通孔内壁形成绝缘层，同时，完成对所述源极和漏极注入离子的扩散工艺。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||