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经营范围
发明名称
Method of growing silicon carbide crystals
摘要
申请公布号
US2996456(A)
申请公布日期
1961.08.15
申请号
US19580760287
申请日期
1958.09.08
申请人
TRANSITRON ELECTRONIC CORPORATION
发明人
HERGENROTHER KARL M.
分类号
C30B13/02
主分类号
C30B13/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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