发明名称 | 一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法,所述的脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置,包括真空反应腔体,真空反应腔体内底部设有基底,真空反应腔体分别连接真空机械泵和前驱体输入管路,其特征在于,真空反应腔体内顶部设有等离子体电极,等离子体电极依次连接射频功率匹配器、脉冲调制射频电源和脉冲延时器。所述的方法为在沉积至少一种前驱体时,通过脉冲调制射频电源产生等离子体辅助沉积。本发明的优点是降低了沉积过程中离子轰击对沉积薄膜的影响,并且防止沉积过程中腔体温度的上升。 | ||
申请公布号 | CN102127756A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
申请号 | CN201110041566.5 | 申请日期 | 2011.02.21 |
申请人 | 东华大学;无锡迈纳德微纳技术有限公司 | 发明人 | 石建军;刘新坤;黄晓江;梅永丰 |
分类号 | C23C16/505(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/505(2006.01)I |
代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 翁若莹 |
主权项 | 一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置,包括真空反应腔体(11),真空反应腔体(11)内底部设有基底(13),真空反应腔体(11)分别连接真空机械泵(15)和前驱体输入管路,其特征在于,真空反应腔体(11)内顶部设有等离子体电极(12),等离子体电极(12)依次连接射频功率匹配器(16)、脉冲调制射频电源(17)和脉冲延时器(18)。 | ||
地址 | 201620 上海市松江区人民北路2999号 |