| 发明名称 | 具有电极焊盘的发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，布置在基底上；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，布置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间；至少一个上延伸件，电连接到第二电极焊盘，所述至少一个上延伸件电连接到第二导电类型半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN102122694A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201110006046.0 | 申请日期 | 2011.01.07 |
| 申请人 | 首尔OPTO仪器股份有限公司 | 发明人 | 徐源哲;葛大成;芮暻熙;金京完;尹余镇 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;李娜娜 |
| 主权项 | 一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，布置在基底上；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，布置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间；至少一个上延伸件，电连接到第二电极焊盘，所述至少一个上延伸件电连接到第二导电类型半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||