赝超晶格功率半导体器件结构及其实现方法

摘要

本发明公布了一种赝超晶格功率半导体器件结构及其实现方法，其能够有效地防止器件寄生晶体管的开启，提高器件非钳位电感性开关应用中的坚固性和可靠性。器件所在晶圆采用第一种半导体基体元素，通过薄介质隔离层离子注入和接触孔离子注入，引入适当能量和适当浓度的第二种半导体基体元素，且第二种半导体基体元素具有比第一种半导体基体元素更宽的禁带宽度，并与第一种半导体基体元素形成化合物半导体结构，在器件阱区和源区的P/N结处局域化地形成赝超晶格结构。

主权项

一种赝超晶格功率半导体器件结构及其实现方法，包括：器件所在的晶圆采用第一种半导体基体元素。通过薄介质隔离层离子注入引入第二种半导体基体元素。通过接触孔离子注入引入第二种半导体基体元素。第二种半导体基体元素具有比第一种半导体基体元素更宽的禁带宽度。第二种半导体基体元素与第一种半导体基体元素形成化合物半导体结构，在器件阱区和源区的P/N结处局域化地形成赝超晶格或异质结结构。