| 主权项 |
一种发光二极体，包含一底座、一晶粒及一透明胶体，该底座包括：一金属支架，具有相互间隔的二支脚；一基纳二极体，设于其中之一支脚，并电连接该支脚；一导线，电连接该基纳二极体及另一支脚；一包覆胶体，覆盖于该基纳二极体及该导线，以完全遮蔽该基纳二极体及该导线；及一塑料基座，容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包覆胶体，并使该二支脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一凹槽；该晶粒用以发出光线，容置于该凹槽，并电连接该二支脚，该透明胶体设于该凹槽，以将该晶粒封装于该塑料基座上。依据申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该基纳二极体反向并联该晶粒，以提供该晶粒静电放电保护线路。依据申请专利范围第2项所述之发光二极体，其中，该塑料基座具有界定出该凹槽的一底壁面及一环壁面，各该支脚的一端外露于该底壁面，且另一端延伸至突出该塑料基座。依据申请专利范围第3项所述之发光二极体，其中，该晶粒设于另一支脚，且位于该底壁面正中央。依据申请专利范围第4项所述之发光二极体，其中，该基纳二极体位于该支脚靠近该环壁面的一侧。依据申请专利范围第4项所述之发光二极体，其中，该基纳二极体位于该支脚相反于该环壁面的一侧。依据申请专利范围第5或6项所述之发光二极体，其中，该透明胶体的材质为一透光材质。依据申请专利范围第5或6项所述之发光二极体，其中，该包覆胶体的材质为环氧树脂及矽胶两者其中之一。依据申请专利范围第5或6项所述之发光二极体，其中，该塑料基座的材质为一不透光材质。依据申请专利范围第5或6项所述之发光二极体，其中，该塑料基座的材质为一不透光且高反射率的材质。依据申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该包覆胶体的表面呈圆弧光滑面。一种发光二极体的底座，供该发光二极体的一晶粒封装其上，该底座包含：一金属支架，具有相互间隔的二支脚；一基纳二极体，设于其中之一支脚，并电连接该支脚；一导线，电连接该基纳二极体及另一支脚；一包覆胶体，覆盖于该基纳二极体及该导线，以完全遮蔽该基纳二极体及该导线；及一塑料基座，容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包覆胶体，并使该二支脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一供容置该晶粒的凹槽。依据申请专利范围第12项所述之发光二极体的底座，其中，该塑料基座具有界定出该凹槽的一底壁面及一环壁面，各该支脚的一端外露于该底壁面，且另一端延伸至突出该塑料基座。依据申请专利范围第13项所述之发光二极体的底座，其中，该基纳二极体位于该支脚靠近该环壁面的一侧。依据申请专利范围第13项所述之发光二极体的底座，其中，该基纳二极体位于该支脚相反于该环壁面的一侧。依据申请专利范围第14或15项所述之发光二极体的底座，其中，该透明胶体的材质为一透光材质。依据申请专利范围第14或15项所述之发光二极体的底座，其中，该包覆胶体的材质为环氧树脂及矽胶两者其中之一。依据申请专利范围第14或15项所述之发光二极体的底座，其中，该塑料基座的材质为一不透光材质。依据申请专利范围第14或15项所述之发光二极体的底座，其中，该塑料基座的材质为一不透光且高反射率的材质。依据申请专利范围第12项所述之发光二极体的底座，其中，该包覆胶体的表面呈圆弧光滑面。一种发光二极体的制作方法，包含下列步骤：(A)设置一基纳二极体于一金属支架的一支脚，并以一导线连接该基纳二极体及该金属支架的另一支脚；(B)形成一包覆胶体于该金属支架，以完全遮蔽该基纳二极体及该导线；(C)形成一塑料基座连接该二支脚；及(D)设置一晶粒于该塑料基座，将该晶粒电连接该二支脚，并形成一透明胶体于该塑料基座，以将该晶粒封装于该塑料基座。依据申请专利范围第21项所述之发光二极体的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该塑料基座容置该二支脚及该包覆胶体，完全遮蔽该包覆胶体，且该二支脚部分外露于该塑料基座。依据申请专利范围第22项所述之发光二极体的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该塑料基座形成有一凹槽，在该步骤(D)中，该晶粒容置于该凹槽，且该透明胶体填充于该凹槽。依据申请专利范围第23项所述之发光二极体的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该凹槽位于该支架设置有该基纳二极体的一侧。依据申请专利范围第23项所述之发光二极体的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该凹槽位于该支架设置该基纳二极体的相反侧。依据申请专利范围第24或25项所述之发光二极体的制作方法，其中，该步骤(C)是藉由塑胶射出将该塑料基座成型于该二支脚。依据申请专利范围第21项所述之发光二极体的制作方法，其中，在该步骤(B)中，形成的该包覆胶体表面呈圆弧面。一种发光二极体的底座的制作方法，包含下列步骤：(A)设置一基纳二极体于一金属支架的一支脚，并以一导线连接该基纳二极体及该金属支架的另一支脚；(B)形成一包覆胶体于该金属支架，以完全遮蔽该基纳二极体及该导线；及(C)形成一塑料基座连接该二支脚。依据申请专利范围第28项所述之发光二极体的底座的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该塑料基座容置该二支脚及该包覆胶体，完全遮蔽该包覆胶体，且该二支脚部分外露于该塑料基座。依据申请专利范围第29项所述之发光二极体的底座的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该塑料基座形成有一供容置一晶粒的凹槽。依据申请专利范围第30项所述之发光二极体的底座的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该凹槽位于该支架设置有该基纳二极体的一侧。依据申请专利范围第30项所述之发光二极体的底座的制作方法，其中，在该步骤(C)中，该凹槽位于该支架设置该基纳二极体的相反侧。依据申请专利范围第31或32项所述之发光二极体的底座的制作方法，其中，该步骤(C)是藉由塑胶射出将该塑料基座成型于该二支脚。依据申请专利范围第28项所述之发光二极体的底座的制作方法，其中，在该步骤(B)中，形成的该包覆胶体表面呈圆弧面。 |
