| 发明名称 | 自对准金属硅化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明形成的金属硅化物层均匀性好且器件不会出现桥接现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102117744A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010002008.3 | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 石永昱;王栩 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||