发明名称 |
一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池 |
摘要 |
本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极,正面TCO导电薄膜,p型重掺杂纳米硅层,p型轻掺杂纳米硅层,p型轻扩散晶体硅层,n型晶体硅层,本征纳米硅层,n型纳米硅层,背面TCO导电薄膜,背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层,在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构,能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题,增强了界面电场,减少了界面复合,提高了光伏电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN102110734A |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN201110020790.6 |
申请日期 |
2011.01.18 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
杨宏;帅争峰;王鹤 |
分类号 |
H01L31/06(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/06(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池,其特征在于:电池的叠层顺序从上至下依次设置为:正面银电极、正面TCO导电薄膜、p型重掺杂纳米硅层即p+层、p型轻掺杂纳米硅层即p层、p型轻扩散晶体硅层即p‑层、n型晶体硅层、本征纳米硅层即i层、n型纳米硅层、背面TCO导电薄膜、背面银电极;或者是正面银电极、正面TCO导电薄膜、n型重掺杂纳米硅层即n+层、n型轻掺杂纳米硅层即n层、n型轻扩散晶体硅层即n‑层、p型晶体硅层、本征纳米硅层即i层、p型纳米硅层、背面TCO导电薄膜、背面银电极,其中掺杂浓度:p+层>p层>p‑层,n+层>n层>n‑层。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |