氮化物类半导体激光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1-100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。

主权项

一种氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具有：在衬底上表面上，形成包括发光层的多个氮化物类半导体层的工序，在多个所述氮化物类半导体层中的至少一个上，形成在规定的方向上延伸的电流通路部的工序，通过向所述氮化物类半导体层的上表面照射激光，在所述衬底的上表面上，形成在与所述电流通路部垂直相交的方向上延伸的槽部的工序，通过以所述槽部为起点来分割所述衬底，形成谐振器端面的工序；在形成所述槽部的工序中，在从所述电流通路部开始隔开规定的距离的区域形成所述槽部的端部，并使在所述槽部的延伸方向上的该槽部的长度从所述槽部的底部向所述衬底的上表面一侧逐渐变大，由此将所述槽部形成为船形形状。