瞬时增强原子层沉积

摘要

提供了一种工艺，其中晶片被暴露于不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率的第一化学反应前驱体剂量，然后被暴露于第二化学反应前驱体剂量，其中前驱体以提供基本均匀的膜沉积的方式被分散。第二化学反应前驱体剂量可以不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率，也可以足以在晶片上导致饥饿饱和沉积。该工艺可以在前驱体暴露过程之间或一组暴露过程和另一组之间包括净化，也可以不包括净化。

主权项

一种原子层沉积工艺，包括将晶片暴露于不足以在所述晶片上导致最大饱和原子层沉积沉积速率的第一化学反应前驱体剂量，随后将所述晶片暴露于第二化学反应前驱体剂量，其中所述前驱体被以提供基本均匀的膜沉积的方式分散，其中，所述晶片在暴露于所述第一化学反应前驱体剂量后，不进行净化或其它的去除所述第一化学反应前驱体的操作，就被暴露于所述第二化学反应前驱体剂量。