虚级联恢复的数据存储控制方法

摘要

本发明公开了一种用于虚级联恢复的数据存储控制方法。设置读写数据和地址缓存器；将恢复前的数据写入写数据缓存器的填充页，将DDR SDRAM的写地址和读地址写入写地址缓存器和读地址缓存器的填充页；如果填充页被写满，则进行读取页和填充页的切换；从写数据缓存器的读取页的当前列中读出所存储的数据，并将数据写入读出的写地址；从读出的读地址读出数据，并将数据写入读数据缓存器的填充页的当前列中；将下一列作为当前列，直至写数据缓存器的读取页被读空并且读数据缓存器的填充页被写满；同时对读写数据和地址缓存器的填充页和读取页进行切换，重复数据读写。本发明实现了使用DDR SDRAM进行虚级联延时补偿中的数据存储控制。

主权项

一种用于虚级联恢复的数据存储控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S101，设置写数据缓存器、写地址缓存器、读数据缓存器、以及读地址缓存器，将每个所述缓存器分成读取页和填充页两部分，并且设置双数据速率同步动态随机存取存储器DDR SDRAM，用于读写数据；步骤S102，将恢复前的虚级联数据写入所述写数据缓存器的填充页，将所述DDR SDRAM的写地址写入所述写地址缓存器的填充页，将所述DDR SDRAM的读地址写入所述读地址缓存器的填充页，其中，根据所述时隙号与所述列号的对应关系，将恢复前的虚级联数据写入所述写数据缓存器的填充页；步骤S104，判断所述写数据缓存器的填充页、所述写地址缓存器的填充页、以及所述读地址缓存器的填充页是否被写满，如果未被写满，则返回至步骤S102，如果被写满，则进行读取页和填充页的切换；步骤S106，从所述写地址缓存器的读取页的当前列中读出所存储的所述DDR SDRAM的写地址，从所述写数据缓存器的读取页的当前列中读出所存储的数据，并将所述数据写入所述写地址；步骤S108，从所述读地址缓存器的读取页的当前列中读出所存储的所述DDR SDRAM的读地址，从所述读地址读出数据，并将所述数据写入所述读数据缓存器的填充页的当前列中；步骤S110，如果所述写数据缓存器的读取页被读空，并且所述读数据缓存器的填充页被写满，则进行至步骤S112，否则，将下一列作为当前列，返回至步骤S106；步骤S112，同时对所述写数据缓存器、所述写地址缓存器、所述读数据缓存器、和所述读地址缓存器的填充页和读取页进行切换，返回至步骤S106，其中，所述写数据缓存器、所述写地址缓存器、所述读数据缓存器、和所述读地址缓存器的填充页和读取页中的列的列号与虚级联的时隙号相对应。