| 主权项 |
一种结晶矽层的制作方法，包括：提供一基板，具有一第一区与一第二区；于该基板上形成一非晶矽层；于该非晶矽层上形成一多层膜反射层；图案化该多层膜反射层，以暴露出位于该第二区之该非晶矽层；进行一雷射结晶制程，使得位于该第一区之该非晶矽层转变为一多晶矽层，且使得位于该第二区之该非晶矽层转变为一微晶矽层；以及移除该多层膜反射层。如申请专利范围第1项所述之结晶矽层的制作方法，其中该多层膜反射层是由至少一高折射系数介电材料以及至少一低折射系数介电材料交互堆叠所构成。如申请专利范围第1项所述之结晶矽层的制作方法，其中该非晶矽层的厚度介于300埃~1000埃之间。如申请专利范围第1项所述之结晶矽层的制作方法，其中在该多层膜反射层中，该高折射系数介电材料以及该低折射系数介电材料的厚度分别为或约为该雷射结晶制程的雷射光波长除以4倍的该介电材料的折射系数。如申请专利范围第1项所述之结晶矽层的制作方法，其中该高折射系数介电材料以及该低折射系数介电材料的厚度介于20奈米~200奈米之间。如申请专利范围第1项所述之结晶矽层的制作方法，其中该高折射系数介电材料与该低折射系数介电材料分别选自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化钽、氧化锌、氧化钛、氧化钍、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化铟锡、氮化钛、氟化钍、氟化铝或硫化锌。如申请专利范围第1项所述之结晶矽层的制作方法，该雷射结晶制程包括准分子雷射回火制程。一种薄膜电晶体阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，其具有一画素区与一周边电路区；于该画素区中形成多个第一薄膜电晶体并且于该周边电路区中形成多个第二薄膜电晶体，每一第一薄膜电晶体包括一第一闸极、一第一源极、一第一汲极与一第一通道层，每一第二薄膜电晶体包括一第二闸极、一第二源极、一第二汲极与一第二通道层，其中形成该第一与第二通道层的步骤包括：形成一非晶矽层；于该非晶矽层上形成一多层膜反射层；图案化该多层膜反射层，以暴露出位于该周边电路区之该非晶矽层；进行一雷射结晶制程，使得位于该画素区之该非晶矽层转变为一微晶矽层，且使得位于该周边电路区之该非晶矽层转变为一多晶矽层；移除该多层膜反射层；以及图案化该多晶矽层与该微晶矽层，以形成该第一通道层以及该第二通道层。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该多层膜反射层是由至少一高折射系数介电材料以及至少一低折射系数介电材料交互堆叠所构成。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该非晶矽层的厚度介于300埃~1000埃之间。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中在该多层膜反射层中，该高折射系数介电材料以及该低折射系数介电材料的厚度分别为或约为该雷射结晶制程之雷射光波长除以4倍的该介电材料的折射系数。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该高折射系数介电材料以及该低折射系数介电材料的厚度介于20奈米~200奈米之间。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该高折射系数介电材料与该低折射系数介电材料分别选自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化钽、氧化锌、氧化钛、氧化钍、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化铟锡、氮化钛、氟化钍、氟化铝或硫化锌。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，该雷射结晶制程包括准分子雷射回火制程。一种薄膜电晶体阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，其具有一画素区与一周边电路区；于该基板上形成一非晶矽层；于该非晶矽层上形成一多层膜反射层；图案化该多层膜反射层，以暴露出位于该周边电路区之该非晶矽层；进行一雷射结晶制程，使得位于该画素区之该非晶矽层转变为一微晶矽层，且使得位于该周边电路区之该非晶矽层转变为一多晶矽层；移除该多层膜反射层；图案化该多晶矽层与该微晶矽层，以于该画素区中形成多个微晶矽岛状物并且于该周边电路区中形成多个多晶矽岛状物；于该基板上形成一闸绝缘层，以覆盖该些多晶矽岛状物与该些微晶矽岛状物；于每一微晶矽岛状物中形成一第一源极与一第一汲极，并且于每一多晶矽岛状物中形成一第二源极与一第二汲极；分别于每一微晶矽岛状物上之该闸绝缘层上形成一第一闸极，并且于每一多晶矽岛状物上方之该闸绝缘层上形成一第二闸极；于该基板上形成一介电层；以及在该介电层上形成一第一源极导电层、一第一汲极导电层、一第二源极导电层与一第二汲极导电层，其中该第一源极导电层与该第一汲极导电层分别与该第一源极与该第一汲极电性连接，且该第二源极导电层与该第二汲极导电层分别与该第二源极与该第二汲极电性连接。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该多层膜反射层是由至少一高折射系数介电材料以及至少一低折射系数介电材料交互堆叠所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该非晶矽层的厚度介于300埃~1000埃之间。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中在该多层膜反射层中，该高折射系数介电材料以及该低折射系数介电材料的厚度分别为该雷射结晶制程之雷射光波长除以4倍的该介电材料的折射系数。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该高折射系数介电材料以及该低折射系数介电材料的厚度介于20奈米~200奈米之间。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，其中该高折射系数介电材料与该低折射系数介电材料分别选自氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化钽、氧化锌、氧化钛、氧化钍、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化铟锡、氮化钛、氟化钍、氟化铝或硫化锌。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体阵列基板的制作方法，该雷射结晶制程包括准分子雷射回火制程。 |
