| 主权项 |
一种用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，所述装置包含：第一修正器条总成，其具有第一组磁心部件以及沿着所述第一组磁心部件分布之第一多个线圈；以及第二修正器条总成，其具有第二组磁心部件以及沿着所述第二组磁心部件分布之第二多个线圈，其中所述第二修正器条总成位于距所述第一修正器条总成一段预定距离处，其中所述第一多个线圈中之每一个经个别地激励以使所述带状离子束中之至少一细离子束偏转，藉此使所述多个细离子束以所要空间扩展来到达所述第二修正器条总成，以及其中所述第二多个线圈中之每一个经个别地激励以使所述带状离子束中之一或多个细离子束进一步偏转，藉此使所述多个细离子束以所要角度离开所述第二修正器条总成。如申请专利范围第1项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中达成在所述第二修正器条总成处之所述多个细离子束之所述所要空间扩展以产生与离开所述第二修正器条总成之所述带状离子束相关联的均一离子剂量。如申请专利范围第1项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中为与离开所述第二修正器条总成之所述带状离子束相关联的角度均一性达成所述多个细离子束之所述所要角度。如申请专利范围第1项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中达成在所述第二修正器条总成处之所述多个细离子束之所述所要空间扩展以产生与离开所述第二修正器条总成之所述带状离子束相关联的非均一离子剂量。如申请专利范围第1项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中达成所述多个细离子束之所述所要角度以产生与离开所述第二修正器条总成之所述带状离子束相关联的空间变化角度分布。如申请专利范围第1项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中由所述第一修正器条总成以及所述第二修正器条总成中之每一者引入之所述偏转为线性的。如申请专利范围第1项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其进一步包含：控制器，其控制所述第一多个线圈以及所述第二多个线圈之所述个别激励。如申请专利范围第7项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其进一步包含：量测所述带状离子束之一或多个量测设备。如申请专利范围第8项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中所述控制器藉由单独地扰动所述第一多个线圈以及所述第二多个线圈中之一或多个以及藉由加总所述带状离子束之相应变化来校准所述第一修正器条总成以及所述第二修正器条总成。如申请专利范围第7项所述之用于改善具有多个细离子束之带状离子束的均一性之装置，其中所述控制器使至少一线圈以足够高之频率来被激励以使所述多个细离子束中之至少一个产生抖动运动。一种用于改善带状离子束之均一性之方法，所述方法包含下述步骤：提供具有第一组磁心部件以及沿着所述第一组磁心部件分布之第一多个线圈的第一修正器条总成；提供具有第二组磁心部件以及沿着所述第二组磁心部件分布之第二多个线圈的第二修正器条总成，其中所述第二修正器条总成位于距所述第一修正器条总成一段预定距离处，使所述带状离子束通过所述第一修正器条总成；个别地激励所述第一多个线圈中之一或多个以使所述带状离子束中之至少一细离子束偏转，藉此使所述多个细离子束以所要空间扩展来到达所述第二修正器条总成；以及个别地激励所述第二多个线圈中之一或多个以使所述带状离子束中之一或多个细离子束进一步偏转，藉此使所述多个细离子束以所要角度离开所述第二修正器条总成。如申请专利范围第11项所述之用于改善带状离子束之均一性之方法，其进一步包含：以足够高之频率来激励至少一线圈以使至少一细离子束产生抖动运动。如申请专利范围第11项所述之用于改善带状离子束之均一性之方法，其中调整所述第一多个线圈以及所述第二多个线圈中之至少一个中的电流频率以控制局部细离子束角度分布。如申请专利范围第11项所述之用于改善带状离子束之均一性之方法，其进一步包含：将多个扰动引入一或多个线圈中；量测所述带状离子束回应于所述多个扰动之改变，每一改变对应于一扰动；藉由加总所述所量测之改变来确立计算模型；以及藉由评估基于所述计算模型计算之一或多个评价函数来为所述第一多个线圈以及所述第二多个线圈选择设定。一种用于储存电脑程式指令之处理器可读载体，所述电脑程式指令经组态以可由至少一处理器读取以用来指示所述至少一处理器执行用于执行如申请专利范围第11项所述之方法的电脑处理程式。一种用于改善带状离子束之均一性之方法，所述方法包含下述步骤：在带状离子束之路径附近提供一或多个调谐元件；将多个扰动引入所述一或多个调谐元件中；量测所述带状离子束的回应于所述多个扰动的改变，每一改变对应于一扰动；藉由加总所述所量测之改变来确立计算模型；以及藉由评估基于所述计算模型计算之一或多个评价函数来为所述一或多个调谐元件选择设定。如申请专利范围第16项所述之用于改善带状离子束之均一性之方法，其中选择所述一或多个调谐元件之所述设定以产生所要离子剂量或角度分布。如申请专利范围第17项所述之用于改善带状离子束之均一性之方法，其中所述所要离子剂量或角度分布选自由均一分布图案、非均一分布图案以及可组态分布图案组成之群。如申请专利范围第16项所述之用于改善带状离子束之均一性之方法，其中所述一或多个调谐元件选自由修正器条总成、多极、偶极、线圈以及磁棒组成之群。 |
