| 发明名称 | 生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量四氯化碳，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。 | ||
| 申请公布号 | CN101525740B | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200810101357.3 | 申请日期 | 2008.03.05 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王莉莉;张书明;杨辉;梁骏吾 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟、氨气、少量四氯化碳，生长出氮化铟单晶外延膜；所述四氯化碳与三甲基铟的摩尔比为大于0小于0.06。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||