碳纳米管气敏传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管气敏传感器及其制备方法。该传感器具有场效应晶体管的结构，包括氧化硅层、单晶硅层以及表面吸附有功能化材料的碳纳米管，氧化硅层叠设在单晶硅层上，氧化硅层上端面上设置平行排列的源极和漏极，单晶硅层下端面上设置栅极，碳纳米管两端分别与源极和漏极相连接。其制备方法为：制备单晶硅层和氧化硅层；在氧化硅层上端生成源极和漏极；在碳纳米管表面吸附功能化材料形成功能化碳纳米管；将功能化碳纳米管分散于溶剂中形成溶液，再将该溶液打印在源极和漏极之间；在单晶硅层底端制备出栅极。本发明传感器结构简单，具有良好的稳定性、灵敏度、选择性以及响应效率，且其制备工艺简单，操作方便，成本低，污染小。

主权项

一种碳纳米管气敏传感器，其特征在于，所述传感器具有场效应晶体管的结构，其源极和漏极经碳纳米管连接，且所述碳纳米管表面吸附有功能化材料。