发明名称 |
具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法 |
摘要 |
一种具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法,该半导体存储器件,包括:多个存储单元、第1布线、第1电流驱动电路和第2电流驱动电路。存储单元包括具有第1铁磁性膜、在第1铁磁性膜上形成的绝缘膜,在绝缘膜上形成的第2铁磁性膜的磁阻元件。第1布线与存储单元中包含的磁阻元件靠近且隔离地设置。第1电流驱动电路在写入工作时向第1布线供给第1电流,在磁阻元件周围形成磁场。第2电流驱动电路在写入工作时和读出工作时,通过绝缘膜向第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流。 |
申请公布号 |
CN1610001B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200410095945.2 |
申请日期 |
2004.08.13 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
福住嘉晃 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
岳耀锋 |
主权项 |
一种半导体存储器件,其特征在于包括:包含磁阻元件的多个存储单元,上述磁阻元件具有第1铁磁性膜、在上述第1铁磁性膜上形成的绝缘膜,在上述绝缘膜上形成的第2铁磁性膜;与上述存储单元中具有的上述磁阻元件靠近且隔离设置的第1布线;在写入工作时,向上述第1布线供给第1电流,在上述磁阻元件周围形成磁场的第1电流驱动电路;和在写入工作时和读出工作时,通过上述绝缘膜向上述第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流的第2电流驱动电路。 |
地址 |
日本东京都 |