发明名称 具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法
摘要 一种具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法,该半导体存储器件,包括:多个存储单元、第1布线、第1电流驱动电路和第2电流驱动电路。存储单元包括具有第1铁磁性膜、在第1铁磁性膜上形成的绝缘膜,在绝缘膜上形成的第2铁磁性膜的磁阻元件。第1布线与存储单元中包含的磁阻元件靠近且隔离地设置。第1电流驱动电路在写入工作时向第1布线供给第1电流,在磁阻元件周围形成磁场。第2电流驱动电路在写入工作时和读出工作时,通过绝缘膜向第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流。
申请公布号 CN1610001B 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN200410095945.2 申请日期 2004.08.13
申请人 株式会社东芝 发明人 福住嘉晃
分类号 G11C11/15(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I 主分类号 G11C11/15(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 岳耀锋
主权项 一种半导体存储器件,其特征在于包括:包含磁阻元件的多个存储单元,上述磁阻元件具有第1铁磁性膜、在上述第1铁磁性膜上形成的绝缘膜,在上述绝缘膜上形成的第2铁磁性膜;与上述存储单元中具有的上述磁阻元件靠近且隔离设置的第1布线;在写入工作时,向上述第1布线供给第1电流,在上述磁阻元件周围形成磁场的第1电流驱动电路;和在写入工作时和读出工作时,通过上述绝缘膜向上述第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流的第2电流驱动电路。
地址 日本东京都