控制等离子密度分布的设备和方法

摘要

多个RF功率传输路径限定为从RF功率源经过匹配网络、传输电极和该等离子延伸到多个回路电极。多个调谐元件分别设置在该多个RF功率传输路径内。每个调谐元件限定为调节将经过设有该调谐元件的该RF功率传输路径传输的RF功率的量。特定RF功率传输路径附近内的等离子密度与经过该特定RF功率传输路径传输的RF功率成正比。所以，对经过该RF功率传输路径传输的RF功率的调节，如该调谐元件所做的，能够控制整个基片的等离子密度分布。

主权项

一种用于相对于基片控制等离子密度分布的方法，包括：向反应气体施加射频(RF)功率以在该基片顶部表面之上产生等离子；以及控制经过该多个RF功率传输路径的每个传输的RF功率的量，其中该RF功率传输路径相对于该基片的顶部表面贯穿该等离子在空间上散开，其中控制经过特定RF功率传输路径传输的RF功率的量使得该特定RF功率传输路径附近内的等离子密度能够成比例地控制。