| 主权项 |
一种光阻组成物，包括：i)一种或多种光酸产生剂类化合物；及ii)为下式(I)结构之酚系三元聚合物之树脂：@sIMGTIF!d10010.TIF@eIMG!其中：R为非氢取代基；R’为不包含羟基或羧基之非氢取代基；缩醛/脂环为包括下列两者之取代基：i)一个或多个光酸不安定缩醛基，及ii)一个或多个脂环基；各Z独立地为氢或视需要经取代之C1-6烷基；m为从0至4之整数；n为从0至5之整数；w、x和y为各别聚合物单元在聚合物之全部单元中所占之莫耳%，且w、x和y皆大于0。如申请专利范围第1项之光阻组成物，其中该树脂含有一个或一个以上之金刚烷基。如申请专利范围第1项之光阻组成物，其中该树脂含有苯基。如申请专利范围第1项之光阻组成物，其中该树脂含有一个或一个以上之酯基。一种处理基板之方法，包括：于基板表面上施加一层如申请专利范围第1项之光阻组成物；及将该光阻层暴露于图案化之幅射，并使该经曝光之光阻组成物层显影。如申请专利范围第5项之方法，其中该光阻层暴露于具有248nm波长之幅射。一种制品，系包括涂布有如申请专利范围第1项之光阻组成物之基板。如申请专利范围第7项之制品，其中该基板为微电子半导体晶圆基板。一种为下式(I)结构之酚系三元聚合物之树脂：@sIMGTIF!d10011.TIF@eIMG!其中：R为非氢取代基；R’为不包含羟基或羧基之非氢取代基；缩醛/脂环为包括下列两者之取代基：i)一个或多个光酸不安定缩醛基，及ii)一个或多个脂环基；各Z独立地为氢或视需要经取代之C1-6烷基；m为从0至4之整数；n为从0至5之整数；w、x和y为各别聚合物单元在聚合物之全部单元中所占之莫耳%，且w、x和y皆大于0。如申请专利范围第9项之树脂，其中该树脂含有一个或一个以上之金刚烷基。 |
